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參數資料
| 型號： | PBSS2515F |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN transistor |
| 中文描述： | 15 V的低VCEsat NPN晶體管 |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 64K |
| 代理商： | PBSS2515F |
2001 Sep 21
2
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage
High current capabilities
Improved thermal behaviour due to flat leads.
APPLICATIONS
General purpose switching and muting
Low frequency driver circuits
LCD backlighting
Audio frequency general purpose amplifier applications
Battery driven equipment (mobile phones, video
cameras and hand-held devices).
DESCRIPTION
NPN low V
CEsat
transistor in a SC-89 (SOT490) plastic
package.
PNP complement: PBSS3515F.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS2515F
2A
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM410
1
2
3
1
Top view
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-89; SOT490) and
symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
15
500
1
<500
V
mA
A
m
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
15
15
6
500
1
100
250
+150
150
+150
V
V
V
mA
A
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515M | 15 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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