- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄382372 > PBSS2515F 15 V low VCEsat NPN transistor PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | PBSS2515F |
| 英文描述： | 15 V low VCEsat NPN transistor |
| 中文描述： | 15 V的低VCEsat NPN晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 5/8頁 |
| 文件大小： | 64K |
| 代理商： | PBSS2515F |
2001 Sep 21
5
Philips Semiconductors
Product specification
15 V low V
CEsat
NPN transistor
PBSS2515F
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(6)
(8)
IC
(mA)
VCE (V)
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD672
(9)
(10)
(7)
(5)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
= 4.60 nA.
(2) I
B
= 4.14 nA.
(3) I
B
= 3.68 nA.
(4) I
B
= 3.22 nA.
(5) I
B
= 2.76 nA.
(6) I
B
= 2.30 nA.
(7) I
B
= 1.84 nA.
(8) I
B
= 1.38 nA.
(9) I
B
= 0.92 nA.
(10) I
B
= 0.46 nA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
2
10
1
10
1
MLD676
10
1
1
10
IC (mA)
RCEsat
(
)
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS2515M | 15 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS2515VPN | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| PBSS2515YPN | 15 V low VCEsat NPN/PNP transistor |
| PBSS2540M | 40 V. 0.5 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS2515 | 15 V low VCEsat NPN double transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PBSS2515F,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515M | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:NPN Transistor 0.5A SOT883,PBSS2515M |
| PBSS2515M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS2515M3145 | 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。