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參數資料
| 型號： | PBSS3540F |
| 英文描述： | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 40伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 2/9頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | PBSS3540F |
2003 Jul 22
2
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
FEATURES
Low collector-emitter saturation voltage V
CEsat
High collector current capability I
C
and I
CM
High efficiency leading to reduced heat generation
Reduced printed-circuit board requirements.
APPLICATIONS
Power management:
– DC-DC converter
– Supply line switching
– Battery charger
– LCD backlighting.
Peripheral driver:
– Driver in low supply voltage applications (e.g. lamps
and LEDs).
– Inductive load drivers (e.g. relays, buzzers and
motors).
DESCRIPTION
Low V
CEsat
PNP transistor in a SOT883 leadless ultra
small plastic package.
NPN complement: PBSS2515M.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM469
1
3
Bottom view
2
3
1
Fig.1 Simplified outline (SOT883) and symbol.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS3515M
DB
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
15
500
1
<500
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
V
mA
A
m
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS3540M | 40 V. 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SA | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS5350S | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS8110S | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBW1CL | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS3540F,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3540M | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:40 V, 0.5 A PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS3540M T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3540M,315 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS3540MB | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS PNP 40V 0.5A SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 40V, 0.5A, SOT883B 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANS, PNP, 40V, 0.5A, SOT883B; Transistor Polarity:PNP; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:-40V; Transition Frequency Typ ft:300MHz; Power Dissipation Pd:250mW; DC Collector Current:-500mA; DC Current Gain hFE:40; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
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