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參數資料
| 型號： | PBSS3540F |
| 英文描述： | 40 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 40伏低飽和壓降PNP型晶體管 |
| 文件頁數： | 6/9頁 |
| 文件大小： | 67K |
| 代理商： | PBSS3540F |
2003 Jul 22
6
Philips Semiconductors
Product specification
15 V, 0.5 A
PNP low V
CEsat
(BISS) transistor
PBSS3515M
handbook, halfpage
0
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(10)
IC
(mA)
VCE (V)
800
400
0
2
10
4
6
8
MLD666
(9)
Fig.6
Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values.
(1) I
B
=
7 mA.
(2) I
B
=
6.3 mA.
(3) I
B
=
5.6 mA.
(4) I
B
=
4.9 mA.
(5) I
B
=
4.2 mA.
(6) I
B
=
3.5 mA.
(7) I
B
=
2.8 mA.
(8) I
B
=
2.1 mA.
(9) I
B
=
1.4 mA.
(10) I
B
=
0.7 mA.
T
amb
= 25
°
C.
handbook, halfpage
RCEsat
(
)
3
10
2
10
1
10
1
MLD670
10
1
1
10
IC (mA)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
Fig.7
Collector-emitter equivalent on-resistance
as a function of collector current; typical
values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
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PDF描述 |
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