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參數資料
| 型號： | PBSS5350S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | PBSS5350S |
2001 Nov 19
2
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350S
FEATURES
High power dissipation (830 mW)
Ultra low collector-emitter saturation voltage
3 A continuous current
High current switching
Improved device reliability due to reduced heat
generation
APPLICATIONS
Medium power switching and muting
Linear regulators
DC/DC convertor
Supply line switching circuits
Battery management applications
Strobe flash units
Heavydutybatterypoweredequipment(motorandlamp
drivers).
DESCRIPTION
PNP low V
CEsat
transistor in a SOT54 plastic package.
NPN complement: PBSS4350S.
MARKING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
PBSS5350S
S5350S
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
collector
emitter
handbook, halfpage
1
3
2
MAM285
2
1
3
Fig.1
Simplified outline (SOT54) and symbol.
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
MAX.
50
3
5
<150
UNIT
V
CEO
I
C
I
CM
R
CEsat
collector-emitter voltage
collector current (DC)
peak collector current
equivalent on-resistance
V
A
A
m
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated and standard footprint.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
60
50
6
3
5
1
830
+150
150
+150
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
65
65
V
V
V
A
A
A
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS8110S | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
| PBW1CL | Assemblies |
| PBW1CV | Assemblies |
| PBW3CL | Assemblies |
| PBW3CV | Assemblies |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PBSS5350S,126 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS AMMO LARGE RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5350SA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:50 V low VCEsat PNP transistor |
| PBSS5350SS | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:50 V, 2.7 A PNP/PNP low VCEsat (BISS) transistor |
| PBSS5350SS T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PBSS5350SS,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS BISS TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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