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參數資料
| 型號： | PBSS5350S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大?。?/td> | 72K |
| 代理商： | PBSS5350S |
2001 Nov 19
4
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350S
handbook, halfpage
hFE
0
10
1
IC (mA)
200
400
600
800
MLD751
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
0
10
1
IC (mA)
VBE
(V)
0.4
0.8
MLD752
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
V
CE
=
2 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
IC (mA)
3
10
2
10
1
10
1
MLD753
1
10
10
2
10
3
10
4
VCEsat
(mV)
(1)
(3)
(2)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(V)
IC (mA)
0.6
0.4
0.2
0
10
1
0.8
1
MLD754
1
10
10
2
10
3
10
4
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
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