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參數資料
| 型號： | PBSS5350S |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | 50 V low VCEsat PNP transistor |
| 中文描述： | 3000 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-43A, 3 PIN |
| 文件頁數： | 3/8頁 |
| 文件大小： | 72K |
| 代理商： | PBSS5350S |
2001 Nov 19
3
Philips Semiconductors
Product specification
50 V low V
CEsat
PNP transistor
PBSS5350S
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Device mounted on a printed-circuit board, single sided copper, tinplated and standard footprint.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to
ambient
in free air; note 1
150
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
200
200
100
TYP.
120
MAX.
100
50
100
100
180
300
<150
1.2
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
=
50 V; I
E
= 0
nA
μ
A
nA
V
CB
=
50 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
2 V; I
C
=
500 mA
V
CE
=
2 V; I
C
=
1 A; note 1
V
CE
=
2 V; I
C
=
2 A; note 1
I
C
=
500 mA; I
B
=
50 mA
I
C
=
1 A; I
B
=
50 mA
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA; note 1
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA; note 1
I
C
=
2 A; I
B
=
200 mA; note 1
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
V
CEsat
collector-emitter saturation
voltage
mV
mV
mV
m
V
R
CEsat
V
BEsat
equivalent on-resistance
base-emitter saturation
voltage
base-emitter turn-on voltage
transition frequency
collector capacitance
V
BE
f
T
C
c
V
CE
=
2 V; I
C
=
1 A; note 1
I
C
=
100 mA; V
CE
=
5 V; f = 100 MHz
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0; f = 1 MHz
100
1.1
40
V
MHz
pF
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PBSS8110S | 100 V, 1 A NPN low VCEsat (BISS) transistor |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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