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參數資料
| 型號： | PDTB114ET |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 2/8頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PDTB114ET |
1997 Sep 02
2
Philips Semiconductors
Objective specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTB114ET
FEATURES
Built-in bias resistors R1 and R2
(typ. 10 k
each)
Simplification of circuit design
Reduces number of components
and board space.
APPLICATIONS
Especially suitable for space
reduction in interface and driver
circuits
Inverter circuit configurations
without use of external resistors.
DESCRIPTION
PNP resistor-equipped transistor in a
SOT23 plastic package.
NPN complement: PDTD114ET.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base/input
emitter/ground (+)
collector/output
Fig.1 Simplified outline (SOT23) and symbol.
handbook, 4 columns
2
1
3
MAM100
Top view
R1
R2
3
2
1
Fig.2
Equivalent inverter
symbol.
MGA893 - 1
1
3
2
MARKING
TYPE
NUMBER
MARKING
CODE
PDTB114ET
p09
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
50
500
500
250
13
UNIT
V
CEO
I
O
I
CM
P
tot
h
FE
R1
collector-emitter voltage
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
DC current gain
input resistor
open base
56
7
10
V
mA
mA
mW
T
amb
≤
25
°
C
I
C
=
50 mA; V
CE
=
5 V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
R1
R2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PDTB123Y | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| PDTB123YK | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| PDTB123YS | PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors |
| PDTC123JEF | NPN resistor-equipped transistor |
| PDTC123 | NPN resistor-equipped transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PDTB123E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| PDTB123EK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
| PDTB123EK T/R | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123EK,115 | 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel |
| PDTB123ES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
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