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參數資料
型號: PDTB114ET
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistor
中文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 7/8頁
文件大小: 50K
代理商: PDTB114ET
1997 Sep 02
7
Philips Semiconductors
Objective specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTB114ET
NOTES
相關PDF資料
PDF描述
PDTB123Y PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YK PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YS PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
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相關代理商/技術參數
參數描述
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PDTB123EK T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123EK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123ES 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
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