欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數資料
型號: PDTB114ET
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: PNP resistor-equipped transistor
中文描述: 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝: SOT-23, 3 PIN
文件頁數: 3/8頁
文件大?。?/td> 50K
代理商: PDTB114ET
1997 Sep 02
3
Philips Semiconductors
Objective specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTB114ET
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
50
50
10
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
V
I
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
input voltage
positive
negative
output current (DC)
peak collector current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
open base
open collector
V
V
V
65
65
+10
40
500
500
250
+150
150
+150
V
V
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
I
O
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
T
amb
25
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
相關PDF資料
PDF描述
PDTB123Y PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YK PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTB123YS PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors
PDTC123JEF NPN resistor-equipped transistor
PDTC123 NPN resistor-equipped transistor
相關代理商/技術參數
參數描述
PDTB123E 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
PDTB123EK 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
PDTB123EK T/R 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123EK,115 功能描述:開關晶體管 - 偏壓電阻器 TRANS RET TAPE-7 RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 配置: 晶體管極性:NPN/PNP 典型輸入電阻器: 典型電阻器比率: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 直流集電極/Base Gain hfe Min:200 mA 最大工作頻率: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:50 V 集電極連續電流:150 mA 峰值直流集電極電流: 功率耗散:200 mW 最大工作溫度: 封裝:Reel
PDTB123ES 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ
主站蜘蛛池模板: 始兴县| 罗源县| 湾仔区| 青阳县| 罗定市| 运城市| 子长县| 武清区| 文水县| 墨玉县| 东乡县| 桦南县| 华阴市| 平乐县| 油尖旺区| 长乐市| 泽普县| 泰宁县| 民县| 永川市| 莎车县| 金湖县| 诏安县| 蒲江县| 绥阳县| 连山| 凌源市| 旬邑县| 澎湖县| 枣强县| 景谷| 仁怀市| 滨州市| 二连浩特市| 梁山县| 江山市| 平凉市| 江口县| 东港市| 成都市| 广平县|