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參數資料
| 型號： | PDTB114ET |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | PNP resistor-equipped transistor |
| 中文描述： | 500 mA, 50 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數： | 4/8頁 |
| 文件大小： | 50K |
| 代理商： | PDTB114ET |
1997 Sep 02
4
Philips Semiconductors
Objective specification
PNP resistor-equipped transistor
PDTB114ET
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ ≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
56
3
7
TYP.
10
MAX.
100
1
50
500
300
500
13
UNIT
I
CBO
I
CEO
collector cut-off current
collector cut-off current
I
E
= 0; V
CB
=
50 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V
I
B
= 0; V
CE
=
30 V; T
j
= 150
°
C
I
C
= 0; V
EB
=
5 V
I
C
=
5 mA; V
CE
=
5 V; note 1
I
C
=
50 mA; I
B
=
2.5 mA; note 1
I
C
=
100
μ
A; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
300 mV
nA
μ
A
μ
A
μ
A
I
EBO
h
FE
V
CEsat
V
i(off)
V
i(on)
R1
emitter cut-off current
DC current gain
collector-emitter saturation voltage
input-off voltage
input-on voltage
input resistor
mV
mV
V
k
resistor ratio
0.8
1
1.2
C
c
collector capacitance
I
E
= i
e
= 0; V
CB
=
10 V; f = 1 MHz
9
pF
R1
R2
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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| PDTB123EK | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
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| PDTB123ES | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP 500 mA, 50 V resistor-equipped transistors; R1 = 2.2 kΩ, R2 = 2.2 kΩ |
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