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參數資料
| 型號： | PH3230 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 50 A, 30 V, 0.0073 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁數： | 5/13頁 |
| 文件大小： | 255K |
| 代理商： | PH3230 |
Philips Semiconductors
PH3230
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product data
Rev. 03 — 25 June 2003
5 of 13
9397 750 10949
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2003. All rights reserved.
7.
Thermal characteristics
7.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 5
Thermal characteristics
Conditions
Min Typ Max Unit
-
-
3
K/W
Fig 5.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
03ag76
10
-2
10
-1
1
10
10
-5
10
-4
10
-3
10
-2
10
-1
1
10
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
δ
= 0.5
0.2
0.1
0.05
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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