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參數資料
| 型號： | PH3830L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁數： | 10/12頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PH3830L |
Philips Semiconductors
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 2 March 2004
10 of 12
9397 750 12945
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
8.
Revision history
Table 6:
Rev Date
03
Revision history
CPCN
20040302
Description
Product data (9397 750 12945)
Modifications:
Table 5 “Characteristics”
t
r
data revised.
Product data (9397 750 11776)
Modifications:
Section 3 “Ordering information”
added.
Table 5 “Characteristics”
Q
g(tot)
data revised.
Table 3 “Limiting values”
V
GS
data revised.
Figure 7
revised.
Product data (9397 750 11403).
-
02
20030918
-
01
20030502
-
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH4840S | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| PH6325L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH7030L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3830L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH3830L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK |
| PH3830L115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 98A 4-SOT-669 |
| PH3855L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH3855L T/R | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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