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參數資料
| 型號： | PH3830L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁數： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PH3830L |
Philips Semiconductors
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 2 March 2004
7 of 12
9397 750 12945
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
I
D
= 1 mA; V
DS
= V
GS
Fig 9.
Gate-source threshold voltage as a function of
junction temperature.
T
j
= 25
°
C; V
DS
= 5 V
Fig 10. Sub-threshold drain current as a function of
gate-source voltage.
V
GS
= 0 V; f = 1 MHz
Fig 11. Input, output and reverse transfer capacitances as a function of drain-source voltage; typical values.
03aa33
0
0.5
1
1.5
2
2.5
-60
0
60
120
180
Tj (
°
C)
VGS(th)
(V)
max
typ
min
03aa36
10-6
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
ID
(A)
0
1
2
3
VGS (V)
max
typ
min
003aaa382
102
103
104
10-1
1
10
102
VDS (V)
C
(pF)
Ciss
Coss
Crss
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH4840S | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| PH6325L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH7030L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3830L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH3830L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK |
| PH3830L115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 98A 4-SOT-669 |
| PH3855L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH3855L T/R | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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