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參數資料
| 型號： | PH3830L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 98 A, 30 V, 0.0049 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁數： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 92K |
| 代理商： | PH3830L |
Philips Semiconductors
PH3830L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data
Rev. 03 — 2 March 2004
9 of 12
9397 750 12945
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
7.
Package outline
Fig 14. SOT669 (LFPAK).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
JEITA
SOT669
MO-235
03-02-05
03-09-15
0
2.5
5 mm
scale
e
E1
b
c2
A2
A2
b
c
A
e
UNIT
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
mm
1.10
0.95
A3
A1
0.15
0.00
1.20
1.01
0.50
0.35
b2
4.41
3.62
b3
2.2
2.0
b4
0.9
0.7
0.25
0.19
c2
0.30
0.24
4.10
3.80
6.2
5.8
H
1.3
0.8
L2
0.85
0.40
L
1.3
0.8
L1
8
°
0
°
w
y
D
(1)
5.0
4.8
E
(1)
3.3
3.1
E1
(1)
D1
(1)
max
0.25
4.20
1.27
0.25
0.1
1
2
3
4
mounting
base
D1
c
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version LFPAK); 4 leads
SOT669
E
b2
b3
b4
H
D
L2
L1
A
A
w
M
C
C
X
1/2
e
y C
θ
θ
(A )
3
L
A
A1
detail X
Note
1. Plastic or metal protrusions of 0.15 mm maximum per side are not included.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PH3855L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH4840S | N-channel TrenchMOS intermediate level FET |
| PH6325L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH7030L | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB100N03LT | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH3830L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 30V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PH3830L | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N 30V LFPAK |
| PH3830L115 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N CH 30V 98A 4-SOT-669 |
| PH3855L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PH3855L T/R | 功能描述:MOSFET N-CH TRENCH 55V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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