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參數資料
| 型號： | PH6325L |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| 中文描述： | 78.7 A, 25 V, 0.0095 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235 |
| 封裝： | PLASTIC, LFPAK-5 |
| 文件頁數： | 4/13頁 |
| 文件大小： | 138K |
| 代理商： | PH6325L |
Philips Semiconductors
PH6325L
N-channel TrenchMOS logic level FET
Preliminary data
Rev. 01 — 28 April 2004
4 of 13
9397 750 12307
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
5.
Thermal characteristics
5.1 Transient thermal impedance
Table 4:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting base
Figure 4
Thermal characteristics
Conditions
Min
-
Typ
-
Max
2
Unit
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
003aaa560
10-2
10-1
1
10
10-5
10-4
10-3
10-2
10-1
1
tp (s)
Zth(j-mb)
(K/W)
single pulse
0.2
0.1
0.05
δ =
0.5
0.02
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PHB108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PH6325L,115 | 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 25V 78.7A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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