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參數資料
| 型號： | PHB100N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 6/13頁 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | PHB100N03LT |
Philips Semiconductors
PHB100N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 07 September 2000
6 of 13
9397 750 07309
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 7.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 6.
T
j
= 25
°
C
Fig 8.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 9.
Normalized drain-source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
03ab20
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.2 0.4 0.6 0.8
1
1.2 1.4 1.6 1.8
2
VDS (V)
ID
(A)
2.4 V
Tj = 25 C
10V
2.6 V
VGS = 2.8 V
3 V
2 V
5 V
2.2 V
03ab22
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.5
1
1.5
2
2.5
VGS (V)
3
ID
(A)
VDS > ID X RDSon
Tj = 25oC
175oC
03ab21
0
0.005
0.01
0.015
0.02
0.025
0.03
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
ID (A)
50
RDSon
(
)
VGS = 10V
Tj = 25oC
2.8 V
5 V
3 V
2.4 V
2.6 V
2.2 V
03aa27
0
-60
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
1.4
1.6
1.8
2.0
-20
20
60
100
140
180
Tj (oC)
a
a
R
DSon 25 C
)
---------------------------
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| PHD108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP108NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
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