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參數資料
| 型號： | PHB100N03LT |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| 中文描述： | 75 A, 25 V, 0.0075 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 8/13頁 |
| 文件大小： | 331K |
| 代理商： | PHB100N03LT |
Philips Semiconductors
PHB100N03LT
N-channel enhancement mode field-effect transistor
Product specification
Rev. 01 — 07 September 2000
8 of 13
9397 750 07309
Philips Electronics N.V. 2000. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
GS
= 0 V
Fig 14. Source (diode forward) current as a function of
source-drain (diode forward) voltage; typical
values.
I
D
= 75 A; V
DS
= 15 V
Fig 15. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
03ab26
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
1
1.1 1.2
VSD (V)
IS
(A)
Tj = 25oC
175oC
VGS = 0 V
03ab25
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
0
10
20
30
40
50
60
70
80
90 100 110
QG (nC)
VGS
(V)
ID = 75 A
VDS = 15 V
Tj = 25oC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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