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參數(shù)資料
| 型號： | PHB14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHB14NQ20T |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
10 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
Fig 17. SOT404 (D
2
-PAK).
UNIT
A
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
mm
A1
D1
D
max.
E
e
Lp
HD
Q
c
2.54
2.60
2.20
15.80
14.80
2.90
2.10
11
1.60
1.20
10.30
9.70
4.50
4.10
1.40
1.27
0.85
0.60
0.64
0.46
b
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
SOT404
0
2.5
5 mm
scale
Plastic single-ended surface mounted package (Philips version of D
2
-PAK); 3 leads
(one lead cropped)
SOT404
e
e
E
b
D1
HD
D
Q
Lp
c
A1
A
1
3
2
mounting
base
99-06-25
01-02-12
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHD14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHB15 | 制造商:Power-One 功能描述: |
| PHB152NQ03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LTA | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LTA /T3 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHB152NQ03LTA,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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