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參數資料
| 型號： | PHB14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 封裝： | PLASTIC, D2PAK-3 |
| 文件頁數： | 4/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 269K |
| 代理商： | PHB14NQ20T |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
4 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
4.
Thermal characteristics
4.1 Transient thermal impedance
Table 3:
Symbol Parameter
R
th(j-mb)
thermal resistance from junction to mounting
base
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
Thermal characteristics
Conditions
Figure 4
Min Typ
-
Max
1.2
Unit
K/W
-
vertical in still air; SOT78 package
SOT404 and SOT428 packages;
SOT404 minimum footprint; mounted on
a PCB
-
-
60
50
-
-
K/W
K/W
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to mounting base as a function of pulse duration.
10
1
10-1
10-2
Zth (j-mb)
(K/W)
1
10
10-1
10-2
10-3
10-4
10-5
10-6
tp (s)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
δ
= 0.5
δ
= 0.2
δ
= 0.1
δ
= 0.02
δ
= 0.05
single pulse
003aaa220
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