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參數(shù)資料
| 型號： | PHD14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數(shù)： | 14/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHD14NQ20T |
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 11 March 2002
Document order number: 9397 750 09535
Contents
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
1
1.1
1.2
1.3
1.4
2
3
4
4.1
5
6
7
8
9
10
11
Product profile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Description . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Features . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Limiting values. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance . . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Revision history. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Definitions . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Disclaimers. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Trademarks. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD14NQ20T,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD16N03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD16N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
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