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參數資料
| 型號： | PHD14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 8/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHD14NQ20T |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
8 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
I
D
= 15 A; V
DD
= 40 V and 160 V
Fig 13. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
V
DS
= 25 V
Fig 14. Forward transconductance as a function of
drain current; typical values.
12
8
4
0
0
40
10
20
30
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 40 V
VDD = 160 V
003aaa228
20
12
0
4
8
16
0
30
10
20
gfs
(S)
ID (A)
003aaa224
Unclamped inductive load; V
DD
≤
25 V; R
GS
= 50
; V
GS
= 10 V; starting T
j
= 25
°
C and 150
°
C
Fig 15. Non-repetitive avalanche ruggedness current as a function of pulse duration; typical values.
003aaa230
10
1
10-1
102
IAS
(A)
1
10
10-1
10-2
10-3
tp (ms)
25
ο
C
Tj prior to avalanche = 150
ο
C
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD14NQ20T,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD16N03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD16N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
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