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參數資料
| 型號： | PHD14NQ20T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | TrenchMOS standard level FET |
| 中文描述： | 14 A, 200 V, 0.23 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252 |
| 封裝： | PLASTIC, SC-63, DPAK-3 |
| 文件頁數： | 6/14頁 |
| 文件大小： | 269K |
| 代理商： | PHD14NQ20T |
Philips Semiconductors
PHP/PHB/PHD14NQ20T
TrenchMOS standard level FET
Product data
Rev. 03 — 11 March 2002
6 of 14
9397 750 09535
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2002. All rights reserved.
T
j
= 25
°
C
Output characteristics: drain current as a
function of drain-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C and 175
°
C; V
DS
>
I
D
×
R
DSon
Fig 6.
Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
Fig 5.
T
j
= 25
°
C
Fig 7.
Drain-source on-state resistance as a function
of drain current; typical values.
Fig 8.
Normalized drain source on-state resistance
factor as a function of junction temperature.
6 V
5 V
VGS = 10 V
5.5 V
4.5 V
30
20
10
0
ID
(A)
10
8
6
4
2
0
VDS (V)
003aaa221
8
16
24
0
30
0
2
4
6
8
ID
(A)
Tj = 25
ο
C
Tj = 175
ο
C
VGS (V)
003aaa223
20
0
10
5
15
ID (A)
RDSon
(
)
0.8
0.6
0.4
0.2
0
VGS = 10 V
6 V
4.5 V
5 V
5.5 V
003aaa222
180
-60
1
1.5
2
2.5
3
0.5
20
100
a
Tj (
ο
C)
003aaa225
a
R
R
DSon 25
°
C
)
-----------------------------
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP14NQ20T | TrenchMOS standard level FET |
| PHB152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
| PHB152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHB160N03T | N-channel enhancement mode field-effect transistor |
| PHB225NQ04T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD14NQ20T,118 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS⑩ logic level FET |
| PHD16N03LT /T3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| PHD16N03LT,118 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD16N03T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS standard level FET |
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