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參數資料
| 型號： | PHD27NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 3/12頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | PHD27NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP27NQ10T, PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
REVERSE DIODE LIMITING VALUES AND CHARACTERISTICS
T
j
= 25C unless otherwise specified
SYMBOL PARAMETER
I
S
Continuous source current
(body diode)
I
SM
Pulsed source current (body
diode)
V
SD
Diode forward voltage
t
rr
Reverse recovery time
Q
rr
Reverse recovery charge
CONDITIONS
MIN.
-
TYP. MAX. UNIT
-
28
A
-
-
112
A
I
F
= 14 A; V
GS
= 0 V
I
F
= 14 A; -dI
F
/dt = 100 A/
μ
s;
V
GS
= 0 V; V
R
= 25 V
-
-
-
0.9
60
160
1.2
-
-
V
ns
nC
August 1999
3
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
| PHP2N40 | PowerMOS transistor |
| PHP2N50 | PowerMOS transistor |
| PHP2N60 | PowerMOS transistor |
| PHP3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD2N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD2N60E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD3055E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD3055E,118 | 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
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