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參數資料
| 型號： | PHD27NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | PHD27NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP27NQ10T, PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
)
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Maximum permissible non-repetitive
avalanche current (I
) versus avalanche time (t
AV
);
unclamped inductive load
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
12
14
0
5
10
15
20
25
30
35
Gate charge, QG (nC)
Gate-source voltage, VGS (V)
ID = 27A
Tj = 25 C
VDD = 20 V
VDD = 80 V
0.1
1
10
100
0.001
0.01
0.1
1
10
Avalanche time, t
AV
(ms)
Maximum Avalanche Current, I
AS
(A)
Tj prior to avalanche = 150 C
25 C
0
5
10
15
20
25
30
0
0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9
Source-Drain Voltage, VSDS (V)
1
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5
Source-Drain Diode Current, IF (A)
Tj = 25 C
175 C
VGS = 0 V
August 1999
6
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
| PHP2N40 | PowerMOS transistor |
| PHP2N50 | PowerMOS transistor |
| PHP2N60 | PowerMOS transistor |
| PHP3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHD2N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD2N60E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD3055E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD3055E,118 | 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
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