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參數(shù)資料
| 型號： | PHD27NQ10T |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | JFETs |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | 28 A, 100 V, 0.05 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 115K |
| 代理商： | PHD27NQ10T |
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel TrenchMOS
transistor
PHP27NQ10T, PHB27NQ10T
PHD27NQ10T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm
Fig.18. SOT404 : soldering pattern for surface mounting
17.5
11.5
9.0
5.08
3.8
2.0
August 1999
9
Rev 1.000
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP2N40E | PowerMOS transistor |
| PHP2N40 | PowerMOS transistor |
| PHP2N50 | PowerMOS transistor |
| PHP2N60 | PowerMOS transistor |
| PHP3055L | PowerMOS transistor Logic level FET |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHD2N50E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHD2N60E | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N D-PAK |
| PHD3055E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel TrenchMOS transistor |
| PHD3055E,118 | 功能描述:MOSFET N-CH TRNCH 60V 10.3A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHD3055L | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor Logic level FET |
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