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參數資料
| 型號： | PHN103 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | PHN103 |
1997 Jun 20
6
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN103
Fig.4 Switching times test circuit; input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MAM274
90 %
10 %
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tf
tr
td(off)
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
Fig.5 Transient thermal resistance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
handbook, full pagewidth
MGG331
2
10
1
10
2
10
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
Rth j
s
(K/W)
tp (s)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
(1)
(2)
(3)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
(1)
δ
= 0.75.
(2)
δ
= 0.5.
(3)
δ
= 0.33.
(4)
δ
= 0.2.
(5)
δ
= 0.1.
(6)
δ
= 0.05.
(7)
δ
= 0.02.
(8)
δ
= 0.01.
(9)
δ
= 0.
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PDF描述 |
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