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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | PHN103 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號(hào)晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 76K |
| 代理商： | PHN103 |
1997 Jun 20
7
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN103
Fig.6
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
handbook, halfpage
C
(pF)
0
10
20
30
0
2000
1500
1000
500
MGG332
VDS (V)
(1)
(2)
(3)
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
Fig.7 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
4
8
2
6
10
0
30
20
10
MGG333
VDS (V)
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
T
j
= 25
°
C.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4 V.
(4) V
GS
= 3.5 V.
(5) V
GS
= 3 V.
(6) V
GS
= 2.5 V.
Fig.8 Transfer characteristic; typical value.
V
DS
= 10 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
ID
(A)
0
2
4
6
MGG334
20
30
0
10
VGS (V)
Fig.9
Gate-source voltage as a function of total
gate charge; typical values.
V
DD
= 15 V; I
D
= 4 A.
handbook, halfpage
(V)
0
10
20
30
0
8
6
4
2
MGG335
QG (nC)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHN205 | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| PHN110T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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