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參數(shù)資料
| 型號： | PHN103 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 8500 mA, 30 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大小： | 76K |
| 代理商： | PHN103 |
1997 Jun 20
9
Philips Semiconductors
Product specification
N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN103
Fig.12 Temperature coefficient of gate-source
threshold voltage; typical values.
V
GSth
at V
DS
= V
GS
; I
D
= 1 mA.
k
V
at T
j
GSth
at 25
°
C
V
=
handbook, halfpage
k
100
1.1
0.9
0.6
0.7
1
0.8
50
150
0
50
100
MGG338
Tj (
°
C)
Fig.13 Temperature coefficient of drain-source
on-state resistance; typical values.
(1) R
DSon
at V
GS
= 10 V; I
D
= 5.5 A.
(2) R
DSon
at V
GS
= 4.5 V; I
D
= 2.75 A.
k
R
at T
DSon
at 25
°
C
R
=
handbook, halfpage
k
100
1.2
0.8
0.4
1.4
1
0.6
50
150
0
(1)
(2)
50
100
MGG339
Tj (
°
C)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHN110 | N-channel enhancement mode MOS transistor |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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| PHN110T/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 4A I(D) | SO |
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