- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382392 > PHN205 (NXP SEMICONDUCTORS) Dual N-channel enhancement mode MOS transistor PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHN205 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | Dual N-channel enhancement mode MOS transistor |
| 中文描述： | 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA |
| 封裝： | PLASTIC, SO-8 |
| 文件頁數： | 6/12頁 |
| 文件大小： | 88K |
| 代理商： | PHN205 |
1997 Oct 22
6
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN205
Fig.4 Switching time test circuit; input and output waveforms.
handbook, full pagewidth
MAM274
90 %
10 %
10 %
90 %
Vin
Vout
td(on)
ton
toff
tf
tr
td(off)
0
0
VDD
RL
Vout
Vin
Fig.5 Transient thermal resistance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
handbook, full pagewidth
2
10
1
10
1
10
6
10
5
10
4
10
3
10
2
10
1
1
MGG342
Rth js
(K/W)
tp (s)
(1)
(2)
(3)
(4)
(5)
(6)
(7)
(8)
(9)
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
(1)
δ
= 0.75.
(2)
δ
= 0.5.
(3)
δ
= 0.33.
(4)
δ
= 0.2.
(5)
δ
= 0.1.
(6)
δ
= 0.05.
(7)
δ
= 0.02.
(8)
δ
= 0.01.
(9)
δ
= 0.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHB119NQ06T | N-channel TrenchMOS standard level FET |
| PHP130N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHP152NQ03LT | TrenchMOS logic level FET |
| PHP152NQ03LTA | N-channel TrenchMOS logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHN210 | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor |
| PHN210 /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHN210,118 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHN210T | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode |
| PHN210T /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。