欧美成人免费电影,国产欧美一区二区三区精品酒店,精品国产a毛片,色网在线免费观看

參數(shù)資料
型號(hào): PHN205
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號(hào)晶體管
英文描述: Dual N-channel enhancement mode MOS transistor
中文描述: 6400 mA, 30 V, 2 CHANNEL, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, MOSFET, MS-012AA
封裝: PLASTIC, SO-8
文件頁數(shù): 7/12頁
文件大小: 88K
代理商: PHN205
1997 Oct 22
7
Philips Semiconductors
Product specification
Dual N-channel enhancement mode
MOS transistor
PHN205
Fig.6
Capacitance as a function of drain-source
voltage; typical values.
V
GS
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C.
(1) C
iss
.
(2) C
oss
.
(3) C
rss
.
handbook, halfpage
(pF)
0
4
8
12
16
VDS (V)
20
0
1000
750
500
250
MGG343
(1)
(2)
(3)
Fig.7 Output characteristics; typical values.
handbook, halfpage
0
4
8
12
0
20
10
MGG344
ID
(A)
VDS (V)
(4)
(5)
(6)
(1)
(2)
(3)
T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
(1) V
GS
= 10 V.
(2) V
GS
= 5 V.
(3) V
GS
= 4.5 V.
(4) V
GS
= 4 V.
(5) V
GS
= 3.5 V.
(6) V
GS
= 3 V.
Fig.8 Transfer characteristics; typical values.
V
DS
= 10 V; T
amb
= 25
°
C; t
p
= 80
μ
s;
δ
= 0.
handbook, halfpage
0
2
4
6
MGG345
20
0
10
VGS (V)
ID
(A)
Fig.9
Gate-source voltage and drain-source
voltage as a function of total gate charge;
typical values.
V
DD
= 12.5 V; I
D
= 3.2 A; T
amb
= 25
°
C.
(1) V
DS
.
(2) V
GS
.
handbook, halfpage
V
(V)
0
4
16
12
4
0
8
8
12
MGG346
(1)
(2)
QG (nC)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
PHP119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHB119NQ06T N-channel TrenchMOS standard level FET
PHP130N03LT TrenchMOS transistor Logic level FET
PHP152NQ03LT TrenchMOS logic level FET
PHP152NQ03LTA N-channel TrenchMOS logic level FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
PHN210 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode TrenchMOS transistor
PHN210 /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHN210,118 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
PHN210T 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:Dual N-channel enhancement mode
PHN210T /T3 功能描述:MOSFET TAPE13 MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS(導(dǎo)通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
主站蜘蛛池模板: 石泉县| 阿拉尔市| 新宾| 乡宁县| 张家港市| 河东区| 青岛市| 岑溪市| 德格县| 南郑县| 武平县| 桐城市| 铜陵市| 固阳县| 特克斯县| 河北区| 陕西省| 梁平县| 泰和县| 师宗县| 涟源市| 财经| 双桥区| 徐水县| 宜阳县| 阳泉市| 龙川县| 会泽县| 肃北| 康保县| 木里| 玛沁县| 乌兰察布市| 灌阳县| 兴仁县| 梁平县| 通山县| 平阴县| 铜山县| 南涧| 陕西省|