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參數資料
| 型號： | PHP20N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 15/15頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | PHP20N06 |
Philips Electronics N.V. 2001.
Printed in The Netherlands
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Date of release: 22 February 2001
Document order number: 9397 750 07894
Contents
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
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7.1
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Description
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Features
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Applications
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Pinning information
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1
Quick reference data
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Limiting values
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2
Thermal characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4
Transient thermal impedance. . . . . . . . . . . . . . 4
Characteristics
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5
Package outline
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 9
Soldering
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Revision history
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 12
Data sheet status
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Definitions
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
Disclaimers
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 13
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | PowerMOS transistor |
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP20N06T | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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