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參數資料
| 型號： | PHP20N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 3/15頁 |
| 文件大?。?/td> | 334K |
| 代理商： | PHP20N06 |
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
3 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
GS
≥
4.5 V
Fig 1.
Normalized total power dissipation as a
function of mounting base temperature.
Fig 2.
Normalized continuous drain current as a
function of mounting base temperature.
T
mb
= 25
°
C; I
DM
single pulse.
Fig 3.
Safe operating area; continuous and peak drain currents as a function of drain-source voltage.
03aa16
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
175
Tmb (oC)
200
Pder
(%)
03aa24
0
20
40
60
80
100
120
0
25
50
75
100
125
150
Tmb (oC)
175
200
Ider
(%)
P
der
P
tot 25 C
°
)
----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D 25 C
°
)
------------------
100
%
×
=
003aaa043
10-1
1
10
102
103
1
10
102
VDS (V)
ID
(A)
D.C.
10 ms
RDSon = VDS/ ID
1 ms
tp = 10 us
100 us
tp
tp
T
T
P
t
δ
=
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | PowerMOS transistor |
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP20N06T | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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