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參數資料
| 型號： | PHP20N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 9/15頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | PHP20N06 |
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
9 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
9.
Package outline
Fig 16. SOT78 (TO-220AB).
REFERENCES
OUTLINE
VERSION
EUROPEAN
PROJECTION
ISSUE DATE
IEC
JEDEC
EIAJ
SOT78
SC-46
3-lead TO-220AB
D
D1
q
p
L
1
2
3
L1
(1)
b1
e
e
b
0
5
10 mm
scale
Plastic single-ended package; heatsink mounted; 1 mounting hole; 3-lead TO-220AB
SOT78
DIMENSIONS (mm are the original dimensions)
A
E
A1
c
Note
1. Terminals in this zone are not tinned.
Q
L2
UNIT
A1
b1
D1
e
p
mm
2.54
q
Q
A
b
D
c
L2
max.
3.0
3.8
3.6
15.0
13.5
3.30
2.79
3.0
2.7
2.6
2.2
0.7
0.4
15.8
15.2
0.9
0.7
1.3
1.0
4.5
4.1
1.39
1.27
6.4
5.9
10.3
9.7
L1
(1)
E
L
00-09-07
01-02-16
mounting
base
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | PowerMOS transistor |
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
| PHP20N06T | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20N06T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL MOSFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHP20NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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