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參數資料
| 型號： | PHP20N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | N-channel TrenchMOS transistor |
| 中文描述： | N溝道TrenchMOS晶體管 |
| 文件頁數： | 8/15頁 |
| 文件大小： | 334K |
| 代理商： | PHP20N06 |
Philips Semiconductors
PHP20N06T; PHB20N06T
N-channel TrenchMOS transistor
Product specification
Rev. 01 — 22 February 2001
8 of 15
9397 750 07894
Philips Electronics N.V. 2001. All rights reserved.
V
DS
= 25 V
Fig 13. Transfer characteristics: drain current as a
function of gate-source voltage; typical values.
T
j
= 25
°
C; I
D
= 25 A
Fig 14. Gate-source voltage as a function of gate
charge; typical values.
V
GS
= 0 V
Fig 15. Source (diode forward) current as a function of source-drain (diode forward) voltage; typical values.
003aaa049
0
5
10
15
20
25
0
2
4
6
8
10
VGS (V)
ID
(A)
Tj = 175 oC
Tj = 25 oC
003aaa050
0
2
4
6
8
10
0
5
10
15
QG (nC)
VGS
(V)
VDD = 44 V
VDD = 14 V
003aaa052
0
20
40
60
80
100
120
0
0.5
1.0
1.5
VSD (V)
2.0
IS
(A)
Tj = 25 oC
Tj = 175 oC
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | PowerMOS transistor |
| PHP212L | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP212 | Dual P-channel enhancement mode MOS transistor |
| PHP21N06 | TrenchMOSO transistor Standard level FET |
| PHP21N06LT | N-channel TrenchMOS transistor Logic level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHP20N06E | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PowerMOS transistor |
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| PHP20NQ20T,127 | 功能描述:MOSFET RAIL PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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