- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382393 > PHT11N06 (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS transistor Logic level FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHT11N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管邏輯電平場效應管 |
| 文件頁數： | 3/9頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PHT11N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
AVALANCHE LIMITING VALUE
SYMBOL
W
DSS
PARAMETER
Drain-source non-repetitive
unclamped inductive turn-off
energy
CONDITIONS
I
D
= 3.6 A; V
DD
≤
25 V;
V
GS
= 5 V; R
GS
= 50
; T
sp
= 25 C
MIN.
-
TYP.
-
MAX.
60
UNIT
mJ
January 1998
3
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT11N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT6N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT11N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT11N06LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT11N06LT/T3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR SMD UNIVERSAL MOSFET SOT |
| PHT11N06LTT/R | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 55V V(BR)DSS | 4.9A I(D) | SOT-223 |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。