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參數(shù)資料
| 型號： | PHT11N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管邏輯電平場效應管 |
| 文件頁數(shù)： | 8/9頁 |
| 文件大小： | 69K |
| 代理商： | PHT11N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Logic level FET
PHT11N06LT
MECHANICAL DATA
Dimensions in mm
Net Mass: 0.11 g
Fig.18. SOT223 surface mounting package.
Notes
1. Observe the general handling precautions for electrostatic-discharge sensitive devices (ESDs) to prevent
damage to MOS gate oxide.
2. Refer to surface mounting instructions for SOT223 envelope.
3. Epoxy meets UL94 V0 at 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
2
3
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
A
0.10
0.02
13
16
max
1.8
max
10
max
0.32
0.24
(4x)
B
M
0.1
A
M
0.2
January 1998
8
Rev 1.100
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT11N06T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N03LT | TrenchMOS transistor Logic level FET |
| PHT6N03T | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| PHT6N06 | TrenchMOS transistor Standard level FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| PHT11N06LT | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:TrenchMOS transistor Logic level FET |
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| PHT11N06LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWRMOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
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