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參數資料
| 型號： | PHT6N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數： | 6/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHT6N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N06T
Fig.13. Typical turn-on gate-charge characteristics.
V
GS
= f(Q
G
); conditions: I
D
= 5 A; parameter V
DS
Fig.14. Typical reverse diode current.
I
F
= f(V
SDS
); conditions: V
GS
= 0 V; parameter T
j
Fig.15. Normalised avalanche energy rating.
W
DSS
% = f(T
sp
); conditions: I
D
= 1.9 A
Fig.16. Avalanche energy test circuit.
W
DSS
=
0.5
LI
D
Fig.17. Switching test circuit.
0
1
2
3
4
5
6
7
0
2
4
6
8
10
12
VGS/V
QG/nC
VDS = 14V
VDS = 44V
20
40
60
80
Tmb / C
100
120
140
120
110
100
90
80
70
60
50
40
30
20
10
0
WDSS%
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
1.2
1.4
0
2
4
6
8
10
IF/A
VSDS/V
Tj/C =
150
25
L
T.U.T.
VDD
RGS
R 01
shunt
VDS
-ID/100
+
-
VGS
0
2
BV
DSS
/(
BV
DSS
V
DD
)
RD
T.U.T.
VDD
RG
VDS
+
-
VGS
0
September 1997
6
Rev 1.000
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