- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄382393 > PHT6N06 (NXP Semiconductors N.V.) TrenchMOS transistor Standard level FET PDF資料下載
參數資料
| 型號： | PHT6N06 |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | TrenchMOS transistor Standard level FET |
| 中文描述： | TrenchMOS晶體管標準電平場效應管 |
| 文件頁數： | 7/10頁 |
| 文件大小： | 71K |
| 代理商： | PHT6N06 |
Philips Semiconductors
Product specification
TrenchMOS
transistor
Standard level FET
PHT6N06T
MOUNTING INSTRUCTIONS
Dimensions in mm.
Fig.18. soldering pattern for surface mounting SOT223.
PRINTED CIRCUIT BOARD
3.8
min
6.3
2.3
4.6
1.5
min
1.5
min
1.5
min
(3x)
September 1997
7
Rev 1.000
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| PHU2N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHB11N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW14N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
| PHW20N50E | PowerMOS transistors Avalanche energy rated |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| PHT6N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET, N, SOT-223 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N-Channel 55V 5.5A SOT223 |
| PHT6N06LT /T3 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6N06LT,135 | 功能描述:MOSFET TAPE13 PWR-MOS RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| PHT6N06LT | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N SOT-223 |
| PHT6N06LT.135 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:MOSFET N REEL 4K |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。