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參數資料
| 型號： | Q67100-H3260 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | NONVOLATILE MEMORY 8-KBIT EPROM WITH IC BUS INTERFACE |
| 中文描述： | 非易失性內存8千比特存儲器總線接口帶IC |
| 文件頁數： | 47/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-H3260 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
46
19. Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
DBx4
DAx1
BS
AP
Addr.
DQ
DQM
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Write
Command
Bank A
DAx0
RAx
RAx
RCD
t
CAx
Command
Bank A
Command
Bank B
Command
Bank B
DAx4
DAx2
DAx3
Activate
DAx5
DAx6
RBx
RBx
Command
Bank A
Precharge
Write
DBx0
DAx7
DBx1
Activate
DBx2
DBx3
WR
CBx
t
RP
t
RAy
RAy
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank A
SPT03927
Command
Bank B
Precharge
DBx7
DBx5
DBx6
Write
DAy0
DAy1
CAy
WR
t
DAy4
DAy3
DAy2
T19
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-H5101 | NONVOLATILE MEMORY 8-KBIT EPROM WITH IC BUS INTERFACE |
| Q67100-Q1019 | 1M x 36-Bit Dynamic RAM Module (2M x 18-Bit Dynamic RAM Module) |
| Q67100-Q1030 | 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM LOW POWER 1M x 4-BIT DYNAMIC RAM |
| Q67100-Q1044 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1049 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-H3261 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range |
| Q67100-H3262 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:Nonvolatile Memory 2-Kbit E2PROM with I2C Bus Interface with Extended Temperature Range |
| Q67100-H3434 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4 Kbit 512 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3435 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8/16 Kbit 1024/2048 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
| Q67100-H3492 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1/2 Kbit 128/256 x 8 bit Serial CMOS EEPROMs, I2C Synchronous 2-Wire Bus |
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