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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2124 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 33/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2124 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
32
11. Power on Sequence and Auto Refresh (CBR)
Inputs must be
stable for
200
μ
s
DQM
AP
DQ
Addr.
BS
RP
Command
All Banks
Precharge
Hi-Z
~
t
1st Auto Refresh
Command
~
~
~
~
~
~
~
SPT03913
Mode Register
Set Command
Address Key
8th Auto Refresh
Command
~
t
RC
~
~
~
~
~
~
~
Command
Any
Minimum of 8 Refresh Cycles are required
T8
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
required
~
~
~
~
~
~
~
T3
is
~
~
Level
High
T0
T2
T1
T5
T4
T7
T6
T18
2 Clock min.
~
~
~
~
~
~
~
T13
~
~
T10
T9
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T20
T19
T22
T21
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱(chēng):Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
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