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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2124 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬× 4位動態隨機存儲器 |
| 文件頁數： | 5/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2124 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
5
12.99
Block Diagram: 4 Bank
×
2M
×
8 SDRAM
SPB03697
Memory
Array
Bank 0
4096 x 512
x 8 Bit
C
S
Row Decoder
C
Bank 1
Array
Memory
Row Decoder
C
Bank 2
Array
Memory
Row Decoder
C
Bank 3
Array
Memory
Row Decoder
Counter
Column Address
Column Address
Buffer
A0 - A8, AP, BA0, BA1
Column Addresses
Row Address
Buffer
A0 - A11, BA0, BA1
Row Addresses
Refresh Counter
DQ0 - DQ7
Input Buffer
Output Buffer
Timing Generator
Control Logic &
C
C
C
R
C
W
D
4096 x 512
x 8 Bit
4096 x 512
x 8 Bit
4096 x 512
x 8 Bit
S
S
S
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
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