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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q2124 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| 中文描述： | 100萬(wàn)× 4位動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 43/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2124 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
42
17. Random Column write (Page within same Bank)
17.1 CAS Latency = 2
DBy1
Addr.
BS
DQ
DQM
AP
Activate
Command
Bank A
Z
Hi
RAw
RAw
Command
Bank B
Write
Command
Bank B
Write
DBw0
DBw1
CAw
CAx
Write
Command
Bank B
DBw3
DBw2
DBx0
DBx1
DBy0
CAy
CS
WE
CAS
RAS
CKE
CLK
T0
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Precharge
Command
Bank B
DBy2
DBy3
Activate
Command
Bank B
RAz
RAz
SPT03923
Read
Command
Bank B
CAz
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T19
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
DBz1
DBz0
DBz2
DBz3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2126 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1M x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q2148 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
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