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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q2148 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數(shù)： | 2/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2148 |
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HYB 39S64400/800/160BT(L)
64-MBit Synchronous DRAM
Data Book
2
12.99
Pin Definitions and Functions
Ordering Information
Type
Ordering Code
Package
Description
HYB 39S64400BT-7.5
Q67100-Q2781
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
4M x4 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
2M x8 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 133MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) 125MHz 4B
×
1M x16 SDRAM
P-TSOP-54-2 (400mil) Low Power (L-versions)
HYB 39S64400BT-8
Q67100-Q1838
HYB 39S64800BT-7.5
Q67100-Q2776
HYB 39S64800BT-8
Q67100-Q1841
HYB 39S64160BT-7.5
Q67100-Q2800
HYB 39S64160BT-8
Q67100-Q1844
HYB 39S64xxx0BTL-
7.5/-8
on request
CLK
Clock Input
DQ
Data Input/Output
CKE
Clock Enable
DQM, LDQM,
UDQM
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
N.C.
Data Mask
CS
Chip Select
Power (+ 3.3 V)
RAS
Row Address Strobe
Ground
CAS
Column Address Strobe
Power for DQ’s (+ 3.3 V)
WE
Write Enable
Ground for DQ’s
A0 - A11
Address Inputs
Not connected
BA0, BA1
Bank Select
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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