- 您現在的位置：買賣IC網 > PDF目錄361234 > Q67100-Q2148 (SIEMENS AG) 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh PDF資料下載
參數資料
| 型號： | Q67100-Q2148 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數： | 52/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2148 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁當前第52頁第53頁
HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
51
21.2 CAS Latency = 3
~
terminate when the burst length is satisfied;
the burst counter increments and continues
Command
Bank B
bursting beginning with the starting address.
page address back to zero
during this time interval.
DQ
DQM
Addr.
AP
Bank B
from the highest order
The burst counter wraps
Command
Activate
Write
Command
Bank A
Bank A
Command
Activate
Z
Hi
DAx
DAx+1
RAx
RAx
CAx
DAx
~
3
DAx
+
DAx 2
~
~
DAx
-1
DAx 1
+
~
RBx
~
RBx
~
SPT03932
Data is
ignored.
Full Page burst operation does not
Write
Precharge
Command
Bank B
Burst Stop
Command
4
DBx
DBx
1
DBx
+
2
DBx
DBx
3
+
CBx
DBx+5
Command
Bank B
Activate
RBy
RBy
T8
BS
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
T3
High
T0
CK3
t
T1
T2
~
~
~
T4
~
T5
T6
T7
T18
T13
T9
T10
T11 T12
T15
T14
T16
T17
T20
T19
T21 T22
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 3
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2246 | 3.3V 16M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 16M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2330 | 8M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2366 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q2367 | 4M x 36-Bit EDO - DRAM Module |
| Q67100-Q518 | 1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
| Q67100-Q2149 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| Q67100-Q2156 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2157 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:4M x 32-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2176 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
發布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。