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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2148 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數： | 47/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2148 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
46
19. Random Row Write (Interleaving Banks) with Precharge
19.1 CAS Latency = 2
DBx4
DAx1
BS
AP
Addr.
DQ
DQM
Activate
Command
Bank A
Hi-Z
Write
Command
Bank A
DAx0
RAx
RAx
RCD
t
CAx
Command
Bank A
Command
Bank B
Command
Bank B
DAx4
DAx2
DAx3
Activate
DAx5
DAx6
RBx
RBx
Command
Bank A
Precharge
Write
DBx0
DAx7
DBx1
Activate
DBx2
DBx3
WR
CBx
t
RP
t
RAy
RAy
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
T0
High
CK2
t
T1
T2
T8
T4
T3
T5
T6
T7
T11
T9
T10
T12
T13
Command
Bank A
SPT03927
Command
Bank B
Precharge
DBx7
DBx5
DBx6
Write
DAy0
DAy1
CAy
WR
t
DAy4
DAy3
DAy2
T19
Burst Length = 8, CAS Latency = 2
T16
T15
T14
T17
T18
T20
T21 T22
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相關代理商/技術參數 |
參數描述 |
|---|---|
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| Q67100-Q2177 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:3.3V 1M x 64-Bit EDO-DRAM Module 3.3V 1M x 72-Bit EDO-DRAM Module |
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