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參數資料
| 型號： | Q67100-Q2148 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM 3.3V 256 K x 16-Bit EDO-DRAM Low power version with Self Refresh |
| 中文描述： | 3.3V的256畝× 16位江戶的DRAM 3.3V的256畝× 16位江戶與DRAM的低功率版本自刷新 |
| 文件頁數： | 29/53頁 |
| 文件大?。?/td> | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q2148 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
28
8. Burst Termination
8.1 Termination of a Full Page Burst Read Operation
8.2 Termination of a Full Page Burst Write Operation
SPT03722
CLK
NOP
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T6
T7
T8
Command
DOUT A0
DOUT A1 DOUT A2 DOUT A3
NOP
NOP
Burst
Terminate
NOP
NOP
NOP
NOP
latency = 2
, DQ’s
CK2
t
DOUT A3
CK3
latency = 3
t
, DQ’s
DOUT A1
DOUT A0
DOUT A2
(CAS latency = 2, 3)
CAS
CAS
Read A
The burst ends after a delay equal to the CAS latency.
Input data for the Write is masked.
T4
latency = 2, 3
DQ’s
NOP
(CAS latency = 2, 3)
T0
Command
CAS
CLK
DIN A1
T2
NOP
DIN A0
Write A
T1
DIN A2
NOP
T3
SPT03419
T6
Burst
Terminate
NOP
T5
NOP
NOP
T7
NOP
T8
don’t care
相關PDF資料 |
PDF描述 |
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參數描述 |
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