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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q3017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 30/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3017 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
29
9. AC Parameters
9.1 AC Parameters for a Write Timing
Auto Precharge
Command
Bank B
Write with
Activate
Command
Bank B
Write with
Auto Precharge
Activate
Command
Bank A
Command
Bank A
Addr.
AP
DQM
DQ
BS
Hi-Z
RCD
t
Ax2
Ax1
Ax0
Ax3
RC
t
RAx
RAx
t
AS
t
AH
RBx
RBx
CAx
Activate
Command
Precharge
Command
Bank A
Activate
Command
Write
Command
Bank A
Bank A
Bank A
SPT03910
Bx2
Bx1
Bx0
Bx3
DS
t
t
DH
Ay2
Ay1
Ay0
Ay3
t
WR
RAy
RAy
CBx
RAy
RP
t
RAz
RAz
T8
Precharge
Bank A
Begin Auto
CLK
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CK2
t
CS
t
CH
CKS
t
CH
t
t
CL
t
T3
T0
T2
T1
T4
T5
T7
T6
Bank B
Precharge
Begin Auto
t
CKH
T18
Burst Length = 4, CAS Latency = 2
T13
T9
T10
T12
T11
T14
T15
T17
T16
T19
T20
T22
T21
RBy
RBy
RRD
t
Activate
Command
Bank B
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1101 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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