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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | Q67100-Q3017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 50/53頁(yè) |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3017 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
49
20.2 CAS Latency = 3
T14
Bx
Full Page burst operation does not
terminate when the burst length is satisfied;
the burst counter increments and continues
bursting beginning with the starting address.
BS
Command
Bank A
AP
DQM
DQ
Addr.
Command
Bank A
Activate
Hi-Z
Read
RAx
RAx
CAx
page address back to zero
during this time interval.
The burst counter wraps
from the highest order
Activate
Command
Bank B
Ax
Ax 1
2
Ax+
Ax
~
~
-
RBx
RBx
~
~
~
~
~
~
Ax
Read
Command
Bank B
Ax
2
1
Ax
1
Bx
Bx 1
CBx
T3
CLK
CKE
CS
RAS
WE
CAS
T0
High
CK3
t
T1
T2
~
~
~
~
~
~
~
T4
T5
~
~
~
T7
T6
T8
T10
T9
T11
T13
T12
SPT03930
Bank B
Command
Activate
Bank B
Precharge
Command
Burst Stop
Command
+
+2
Bx
Bx
3
4
+
5
+
Bx
RBy
t
RRD
RBy
T20
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 3
T17
T15
T16
T18
T19
T21 T22
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1101 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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