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參數(shù)資料
| 型號： | Q67100-Q3017 |
| 廠商： | SIEMENS AG |
| 英文描述： | 4M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| 中文描述： | 4米× 36位江戶記憶體模組 |
| 文件頁數(shù)： | 52/53頁 |
| 文件大小： | 418K |
| 代理商： | Q67100-Q3017 |
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HYB39S64400/800/160BT(L)
64MBit Synchronous DRAM
Semiconductor Group
51
21.2 CAS Latency = 3
~
terminate when the burst length is satisfied;
the burst counter increments and continues
Command
Bank B
bursting beginning with the starting address.
page address back to zero
during this time interval.
DQ
DQM
Addr.
AP
Bank B
from the highest order
The burst counter wraps
Command
Activate
Write
Command
Bank A
Bank A
Command
Activate
Z
Hi
DAx
DAx+1
RAx
RAx
CAx
DAx
~
3
DAx
+
DAx 2
~
~
DAx
-1
DAx 1
+
~
RBx
~
RBx
~
SPT03932
Data is
ignored.
Full Page burst operation does not
Write
Precharge
Command
Bank B
Burst Stop
Command
4
DBx
DBx
1
DBx
+
2
DBx
DBx
3
+
CBx
DBx+5
Command
Bank B
Activate
RBy
RBy
T8
BS
WE
CAS
RAS
CS
CKE
CLK
~
~
~
~
~
~
~
~
T3
High
T0
CK3
t
T1
T2
~
~
~
T4
~
T5
T6
T7
T18
T13
T9
T10
T11 T12
T15
T14
T16
T17
T20
T19
T21 T22
Burst Length = Full Page, CAS Latency = 3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q1100 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
| Q67100-Q1101 | 4M x 4-Bit Dynamic RAM 2k & 4k Refresh |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| Q67100-Q3018 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q3019 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:8M x 36-Bit EDO-DRAM Module |
| Q67100-Q433 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:256 K x 4-Bit Dynamic RAM Low Power 256 K x 4-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q518 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
| Q67100-Q519 | 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:1 M x 1-Bit Dynamic RAM Low Power 1 M ⅴ 1-Bit Dynamic RAM |
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